CIP-2021 : G11C 17/06 : utilizando elementos que contengan diodos (G11C 17/14 tiene prioridad).
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G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano.
G11C 17/06 · utilizando elementos que contengan diodos (G11C 17/14 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UNA CELULA DE MEMORIA BIPOLAR (I2L)LOGICA DE INYECCION INTEGRADA.
(01/02/1979). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..
Una célula de memoria bipolar I(sup, 2)L) lógica de inyección integrada, controlada por líneas de lectura/escritura-escritura/lectura de un tipo que puede utilizarse en una disposición de palabra-organizada, que comprende; - un substrato que tiene un primer tipo de semiconductividad. - una primera capa de material semiconductor de un segundo tipo de semiconductividad dispuesto sobre dicho substrato. - una segunda capa que tiene el segundo tipo de conductividad. - regiones primera y segunda de material semiconductivo que tienen el primer tipo de conductividad. - regiones tercera y cuarta de material semiconductivo. - regiones quinta y sexta de material semiconductivo.
UN DISPOSITIVO DE MEMORIA SOLO DE LECTURA, SEMICONDUCTOR, REPROGRAMABLE Y NO VOLATIL, Y UN METODO DE PROGRAMARLO.
(01/08/1976). Solicitante/s: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED.
Resumen no disponible.